Найдено 140 товаров
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 МБайт/с
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Silicon Motion SM2259XT, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 540/500 МБайт/с
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/6900 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, совместимость с PS5
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, последовательный доступ: 500/500 МБайт/с, случайный доступ: 90000/30000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/60000 IOps
3.84 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 91000/60000 IOps
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe), контроллер Phison PS5016-E16, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7300/7000 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 МБайт/с, случайный доступ: 85000/36000 IOps
480 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/410 МБайт/с, случайный доступ: 85000/36000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4 (NVMe)
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps
960 ГБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5000/1400 МБайт/с, случайный доступ: 520000/82000 IOps
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4850 МБайт/с, случайный доступ: 650000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2230, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), контроллер Western Digital, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 5150/4850 МБайт/с, случайный доступ: 650000/800000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5012-E12S, микросхемы 3D TLC NAND
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 3.0 x4, контроллер Phison PS5012-E12S, микросхемы 3D TLC NAND
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
4 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
1 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 11700/9500 МБайт/с
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса