Найдено 144 товара
3.2 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/390000 IOps
3.2 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/5300 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/390000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 MBps, случайный доступ: 95000/85000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7300/6800 МБайт/с, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4 (NVMe 1.4), последовательный доступ: 7300/6800 МБайт/с, совместимость с PS5
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 97000/46500 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/510 МБайт/с, случайный доступ: 97000/46500 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 550/510 МБайт/с, случайный доступ: 86000/30000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, случайный доступ: 1550000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 14500/12700 МБайт/с, случайный доступ: 1550000/1800000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
7.68 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/2000 МБайт/с, случайный доступ: 980000/80000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/3700 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/135000 IOps
15.36 ТБ, 2.5", U.3 (NVMe 1.4b), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 6800/3700 МБайт/с, случайный доступ: 1100000/135000 IOps
480 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/480 МБайт/с, случайный доступ: 91000/18000 IOps
480 ГБ, M.2 2280, SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 555/480 МБайт/с, случайный доступ: 91000/18000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
960 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 540/520 МБайт/с, случайный доступ: 95000/33000 IOps
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/78000 IOps
1.92 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 94000/78000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps
M.2, PCI Express 3.0 x4 (NVMe), контроллер Silicon Motion SM2263, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 1800/1800 MBps, случайный доступ: 220000/220000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 4.0 x4, контроллер Samsung Elpis, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 7000/5100 МБайт/с, случайный доступ: 1000000/1000000 IOps, DRAM-буфер, совместимость с PS5
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, 2.5", SATA 3.0, контроллер Samsung MKX, микросхемы 3D QLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 98000/88000 IOps, DRAM-буфер
375 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
375 ГБ, 2.5", PCI Express 3.0 x4 (NVMe), микросхемы 3D XPoint, последовательный доступ: 2400/2000 МБайт/с, случайный доступ: 550000/500000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/82000 IOps
4 ТБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/530 МБайт/с, случайный доступ: 95000/82000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/280 МБайт/с, случайный доступ: 90000/16000 IOps
240 ГБ, 2.5", SATA 3.0, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 560/280 МБайт/с, случайный доступ: 90000/16000 IOps
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4 (NVMe 2.0), микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 12400/11800 МБайт/с
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1500000 IOps, DRAM-буфер
2 ТБ, M.2 2280, PCI Express 5.0 x4, контроллер Phison PS5026-E26, микросхемы 3D TLC NAND, последовательный доступ: 10000/10000 МБайт/с, случайный доступ: 1400000/1500000 IOps, DRAM-буфер
Ваше мнение важно для нас для улучшения нашего сервиса