Оперативная память Samsung

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В

8 ГБ, 1 модуль DDR5 CUDIMM, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR5 DIMM Registered по 64 ГБ, частота 6400 МГц, CL 52T, напряжение 1.1 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

16 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2666 МГц, CL 19T, тайминги 19-19-19, напряжение 1.2 В

64 ГБ, 1 модуль DDR4 DIMM Registered, частота 2400 МГц, CL 17T, тайминги 17-17-17, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, напряжение 1.2 В

1 модуль, частота 3200 МГц, CL 22T, тайминги 22-22-22, напряжение 1.2 В